Справочник MOSFET. SM2213PSQG

 

SM2213PSQG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2213PSQG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 643 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2A-6
 

 Аналог (замена) для SM2213PSQG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2213PSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  sino
sm2213psqg.pdfpdf_icon

SM2213PSQG

SM2213PSQGP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -8V/-9.4A,SDDRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-4.5V DRDS(ON) = 24m(max.) @ VGS =-2.5VGSRDS(ON) = 33m(max.) @ VGS =-1.8V Pin 1DDRDS(ON) = 45m(max.) @ VGS =-1.5VDFN2x2-6RDS(ON) = 90m(max.) @ VGS =-1.2V Reliable and Rugged (1,2,5,6)DD DD Lead Free and Green Devices Available(RoH

 9.1. Size:182K  sino
sm2217psqg.pdfpdf_icon

SM2213PSQG

SM2217PSQGP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-9.9A,SDRDS(ON) = 17m(max.) @ VGS =-4.5V DDRDS(ON) = 25m(max.) @ VGS =-2.5VRDS(ON) = 40m(max.) @ VGS =-1.8V GSPin 1DD Reliable and RuggedDFN2x2-6 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(1,2,5,6)DDDD HBM ESD protection level pass 2KVNote : The diode connec

 9.2. Size:258K  sino
sm2210nsqg.pdfpdf_icon

SM2213PSQG

SM2210NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 12V/12A,DDRDS(ON) = 4.3m (max.) @ VGS =4.5VRDS(ON) = 5.6m (max.) @ VGS =2.5VG SPin 1DD 100% UIS + Rg TestedDFN2x2A-6_EP Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(1,2,5,6)DDDD (RoHS Compliant)Applications(3)G Battery Management Application. Power Management Fu

 9.3. Size:181K  sino
sm2215psqg.pdfpdf_icon

SM2213PSQG

SM2215PSQGP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD -20V/-9.4A,DDRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-4.5VRDS(ON) = 27m(max.) @ VGS =-2.5VGSPin 1DDRDS(ON) = 45m(max.) @ VGS =-1.8V Super High Dense Cell DesignDFN2x2-6 Reliable and Rugged(1,2,5,6)DD DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G Powe

Другие MOSFET... SM4915PSK , SM6101PSF , SM6102PSF , SM6103PSFP , SM6103PSU , SM2205PSQG , SM2207PSQG , SM2211PSQG , IRFP460 , SM2215PSQG , SM2217PSQG , SM2223PSQG , SM4025PSFP , SM4025PSU , SM4027PSU , SM4050PSK , SM4050PSV .

History: CS6849U | 2SK4067I | FDN304P-NL | 4N65B | NDP7050L | SIHFD9014 | GP1M016A025XG

 

 
Back to Top

 


 
.