Справочник MOSFET. SM2217PSQG

 

SM2217PSQG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2217PSQG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2A-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2217PSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  sino
sm2217psqg.pdfpdf_icon

SM2217PSQG

SM2217PSQGP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-9.9A,SDRDS(ON) = 17m(max.) @ VGS =-4.5V DDRDS(ON) = 25m(max.) @ VGS =-2.5VRDS(ON) = 40m(max.) @ VGS =-1.8V GSPin 1DD Reliable and RuggedDFN2x2-6 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(1,2,5,6)DDDD HBM ESD protection level pass 2KVNote : The diode connec

 9.1. Size:258K  sino
sm2210nsqg.pdfpdf_icon

SM2217PSQG

SM2210NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 12V/12A,DDRDS(ON) = 4.3m (max.) @ VGS =4.5VRDS(ON) = 5.6m (max.) @ VGS =2.5VG SPin 1DD 100% UIS + Rg TestedDFN2x2A-6_EP Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(1,2,5,6)DDDD (RoHS Compliant)Applications(3)G Battery Management Application. Power Management Fu

 9.2. Size:181K  sino
sm2213psqg.pdfpdf_icon

SM2217PSQG

SM2213PSQGP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -8V/-9.4A,SDDRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-4.5V DRDS(ON) = 24m(max.) @ VGS =-2.5VGSRDS(ON) = 33m(max.) @ VGS =-1.8V Pin 1DDRDS(ON) = 45m(max.) @ VGS =-1.5VDFN2x2-6RDS(ON) = 90m(max.) @ VGS =-1.2V Reliable and Rugged (1,2,5,6)DD DD Lead Free and Green Devices Available(RoH

 9.3. Size:181K  sino
sm2215psqg.pdfpdf_icon

SM2217PSQG

SM2215PSQGP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD -20V/-9.4A,DDRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-4.5VRDS(ON) = 27m(max.) @ VGS =-2.5VGSPin 1DDRDS(ON) = 45m(max.) @ VGS =-1.8V Super High Dense Cell DesignDFN2x2-6 Reliable and Rugged(1,2,5,6)DD DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G Powe

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.