Справочник MOSFET. SM3407PSQA

 

SM3407PSQA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM3407PSQA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3A-8

 Аналог (замена) для SM3407PSQA

 

 

SM3407PSQA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  sino
 sm3407psqa.pdf

SM3407PSQA SM3407PSQA

SM3407PSQAP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD -20V/-11A,DDDRDS(ON) = 17m (max.) @ VGS =-4.5VRDS(ON) = 25m (max.) @ VGS =-2.5VGSSRDS(ON) = 45m (max.) @ VGS =-1.8V S Reliable and RuggedDFN3.3x3.3A-8_EP Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )DDDD HBM ESD protection level pass 2KVNote : The diode connected

 8.1. Size:864K  globaltech semi
 gsm3407s.pdf

SM3407PSQA SM3407PSQA

GSM3407S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3407S, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=75m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.2A,RDS(ON)=95m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

 8.2. Size:846K  globaltech semi
 gsm3407as.pdf

SM3407PSQA SM3407PSQA

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3407AS, P-Channel enhancement mode -30V/-2.8A,RDS(ON)=77m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.4A,RDS(ON)=102m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON)

 8.3. Size:3541K  cn sps
 sm3407.pdf

SM3407PSQA SM3407PSQA

SM3407P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -4.3A)Pb PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m-ohm) Max 60 @ VGS = -10 V,ID=-4.3A -30V -4.3A 78 @ VGS = -4.5V,ID=-3.0A Features 1 Super high dense cell trench design for low RDS(on). 2 Rugged and reliable. 3 SOT-23 package 4 RoHS Compliant.SM3407 Pin Assignment & Symbol Ordering Information

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top