SM2617PSC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM2617PSC
Маркировка: D17*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13.6 nC
Время нарастания (tr): 12.3 ns
Выходная емкость (Cd): 72 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.071 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
SM2617PSC Datasheet (PDF)
sm2617psc sm2621psc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SM2621PSC P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionS -30V/-5.1A ,DDGRDS(ON)= 54m (Max.) @ VGS=-10VDRDS(ON)= 65m (Max.) @ VGS=-4.5VD RDS(ON)= 92m (Max.) @ VGS=-2.5VTop View of SOT-23-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(1,2,5,6)(RoHS Compliant)DD DDApplications(3)G Power Management in Notebook Comput
tsm2611edcx6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TSM2611ED 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected SOT-26 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Source 1 6. Gate 1 VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 1 5. Drain 2 3. Source 2 4. Gate 2 20 @ VGS = 4.5V 6 20 28 @ VGS = 2.5V 5 Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On resistance ESD Protected HBM
sm2610nsc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SM2610NSCN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/6.6A,SDRDS(ON)= 21m(max.) @ VGS=10VDGRDS(ON)= 27m(max.) @ VGS=4.5VDD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23-6(RoHS Compliant)(1,2,5,6)DD DDApplications Power Management in Notebook Computer,(3)GPortable Equipment and Battery PoweredSys
sm2612nsc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SM2612NSCN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/5.5A,SDRDS(ON)= 26.5m(max.) @ VGS=10VDGRDS(ON)= 35m(max.) @ VGS=4.5VDD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23-6(RoHS Compliant)(1,2,5,6)DDDDApplications Power Management in Notebook Computer,(3)GPortable Equipment and Battery PoweredSy
sm2613psc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SM2613PSC P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-5.6A ,SDRDS(ON)= 45m (Max.) @ VGS=-4.5VDGRDS(ON)= 66m (Max.) @ VGS=-2.5VDDRDS(ON)=104m (Max.) @ VGS=-1.8V 100% UIS + Rg TestedTop View of SOT-23-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (1,2,5,6)DD DD(RoHS Compliant)Applications(3)G Power Management in Noteb
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![SM2617PSC](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SM2617PSC](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SM2617PSC](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C