IRF7805 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRF7805. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF7805
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF7805

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7805 даташит

 ..1. Size:236K  international rectifier
irf7805 irf7805a.pdfpdf_icon

IRF7805

PD 91746C IRF7805/IRF7805A HEXFET Chip-Set for DC-DC Converters N Channel Application Specific MOSFETs A Ideal for Mobile DC-DC Converters 1 8 S D Low Conduction Losses 2 7 S D Low Switching Losses 3 6 S D Description 4 5 G D These new devices employ advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented SO-8 Top View balance of on-resistan

 ..2. Size:236K  international rectifier
irf7805.pdfpdf_icon

IRF7805

PD 91746C IRF7805/IRF7805A HEXFET Chip-Set for DC-DC Converters N Channel Application Specific MOSFETs A Ideal for Mobile DC-DC Converters 1 8 S D Low Conduction Losses 2 7 S D Low Switching Losses 3 6 S D Description 4 5 G D These new devices employ advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented SO-8 Top View balance of on-resistan

 ..3. Size:330K  international rectifier
irf7805pbf.pdfpdf_icon

IRF7805

IRF7805PbF HEXFET Chip-Set for DC-DC Converters N Channel Application Specific MOSFETs A A 1 8 S D Ideal for Mobile DC-DC Converters 2 7 S D Low Conduction Losses 3 6 S D Low Switching Losses 4 5 G D Lead-Free SO-8 Top View IRF7805PbF Description Devices Features This new device employs advanced HEXFET Power IRF7805PbF MOSFET technology to

 0.1. Size:270K  international rectifier
irf7805z.pdfpdf_icon

IRF7805

PD - 94635B IRF7805Z HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg (typ.) l High Frequency Point-of-Load 6.8m @VGS = 10V 30V 18nC Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. A A 1 8 S D Benefits 2 7 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Ultra-Low Gate Impedance 4 5 G D l Fully Characterized Avalanche Voltage and Curr

Другие MOSFET... IRF7524D1 , IRF7526D1 , IRF7555 , IRF7601 , IRF7603 , IRF7604 , IRF7606 , IRF7663 , IRFB3607 , IRF7807 , IRF7809 , IRF7811 , IRF820 , IRF820A , IRF820AL , IRF820AS , IRF820FI .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.