Справочник MOSFET. SM2001CSK

 

SM2001CSK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2001CSK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5(6) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160(122) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014(0.045) Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2001CSK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  sino
sm2001csk.pdfpdf_icon

SM2001CSK

SM2001CSK Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N-ChannelD1D2 20V/9.5A, D2 RDS(ON) =14m (max.) @ VGS = 4.5V RDS(ON) =18m (max.) @ VGS = 2.5VS1G1S2 P-ChannelG2 -20V/-6A,Top View of SOP 8 RDS(ON) =45m (max.) @ VGS =-4.5V RDS(ON) =65m (max.) @ VGS =-2.5V(8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rug

 9.1. Size:145K  1
bsm200gar120dn2.pdfpdf_icon

SM2001CSK

BSM 200 GAR 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Chopper diode like diode of BSM300GA120DN2 Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 200 GAR 120 DN2 1200V 290A HB 200GAR C67070-A2301-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE =

 9.2. Size:244K  infineon
bsm200gb120dlc.pdfpdf_icon

SM2001CSK

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM200GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro

 9.3. Size:156K  eupec
bsm200gb170dlc.pdfpdf_icon

SM2001CSK

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 200 GB 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungTvj = 25C VCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 400 APeriodischer Kollek

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SSF2116EJ3 | IRF1010Z | SE80250G | HM60N03K | IRFB3256 | IRF9317 | SDU04N60

 

 
Back to Top

 


 
.