Справочник MOSFET. SM2221CSQG

 

SM2221CSQG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2221CSQG
   Маркировка: 2221J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8(4.4) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130(164) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021(0.05) Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2C-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2221CSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  sino
sm2221csqg.pdfpdf_icon

SM2221CSQG

SM2221CSQG Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 12V/6.8A,S2G2D1D1 RDS(ON)= 21m(max.) @ VGS=4.5VD2 RDS(ON)= 27m(max.) @ VGS=2.5VD2 RDS(ON)= 39m(max.) @ VGS=1.8VG1Pin 1S1 RDS(ON)= 62m(max.) @ VGS=1.5VDFN2x2-6 P-Channel -12V/-4.4A, RDS(ON)= 50m(max.) @ VGS=-4.5V(3)D2(6)D1 RDS(ON)= 65

 9.1. Size:284K  sino
sm2225nsqg.pdfpdf_icon

SM2221CSQG

SM2225NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 100V/2.7A,DD RDS(ON)= 156m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 176m (max.) @ VGS=4.5VGSDPin 1D ESD ProtectionDFN2x2A-6_EP 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged(1,2,5,6)DDDD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G For POE Power Primary Side Switch for

 9.2. Size:292K  sino
sm2222csqg.pdfpdf_icon

SM2221CSQG

SM2222CSQG Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 20V/4.5A,S2G2D1D1 RDS(ON)= 32m (max.) @ VGS=4.5VD2 RDS(ON)= 48.6m (max.) @ VGS=2.5VD2 RDS(ON)= 85m (max.) @ VGS=1.8VG1Pin 1S1 P-ChannelDFN2x2C-6_EP2 -20V/-2.7A, RDS(ON)= 85m (max.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)= 127m (max.) @ VGS=-2.5V(3)D2(6)D1RDS(ON)= 230m (max.)

 9.3. Size:183K  sino
sm2223psqg.pdfpdf_icon

SM2221CSQG

SM2223PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD -12V/-11A,DDRDS(ON) = 13.8m(max.) @ VGS =-4.5VRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-2.5V SGPin 1DDRDS(ON) = 26m(max.) @ VGS =-1.8VRDS(ON) = 36m(max.) @ VGS =-1.5VDFN2x2-6 Reliable and Rugged(1,2,5,6)DD DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: TTP120N03AT | TTP120N04AT | OSG60R065JT3F | BUK9675-55 | 2N6851

 

 
Back to Top

 


 
.