SM4600CSK - описание и поиск аналогов

 

SM4600CSK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM4600CSK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8(8.2) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 95(210) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017(0.02) Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SM4600CSK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4600CSK даташит

 ..1. Size:278K  sino
sm4600csk.pdfpdf_icon

SM4600CSK

SM4600CSK Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description D1 N Channel D1 D2 D2 30V/8.8A, RDS(ON) = 17m (max.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) = 23m (max.) @ VGS = 4.5V G1 S2 P Channel G2 -30V/-8.2A, Top View of SOP-8 RDS(ON) = 20m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5) D1 D1 RDS(ON) = 33m (max.) @ VGS =-4.5V D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru

 9.1. Size:277K  sino
sm4601csk.pdfpdf_icon

SM4600CSK

SM4601CSK Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description D1 N Channel D1 D2 D2 30V/8A, RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5V G1 S2 P Channel G2 -30V/-5A, Top View of SOP-8 RDS(ON) = 53m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5) D1 D1 RDS(ON) = 83m (max.) @ VGS =-4.5V D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged

 9.2. Size:307K  sino
sm4603csk.pdfpdf_icon

SM4600CSK

SM4603CSK Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description D1 N Channel D1 D2 D2 30V/8.7A, RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5V G1 S2 P Channel G2 -30V/-8.2A, Top View of SOP 8 RDS(ON) = 24m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5) D1 D1 RDS(ON) = 38m (max.) @ VGS =-4.5V D2 D2 100% UIS Tested Reliable and Rugged

 9.3. Size:361K  huashuo
hsm4606.pdfpdf_icon

SM4600CSK

HSM4606 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4606 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 22m 7A cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -30V 26m -6A converter applications. The HSM4606 meet the RoHS and Green Product requirement

Другие MOSFET... SM2221CSQG , SM2222CSQG , SM2607CSC , SM2620CSC , SM2700CSC , SM3203CSQ , SM4066CSK , SM4066CSU4 , 60N06 , SM4601CSK , SM8401CSQ , SM8403CSQ , SM8404CSQ , SM8404CSQA , SM4603CSK , SM4901CSK , SM6041CSK .

History: WML14N65C4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.