Справочник MOSFET. SM4600CSK

 

SM4600CSK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM4600CSK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8(8.2) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95(210) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017(0.02) Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SM4600CSK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4600CSK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  sino
 sm4600csk.pdf pdf_icon

SM4600CSK

SM4600CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N ChannelD1D2D230V/8.8A,RDS(ON) = 17m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 23m (max.) @ VGS = 4.5VG1S2 P ChannelG2-30V/-8.2A,Top View of SOP-8RDS(ON) = 20m (max.) @ VGS =-10V(8) (7)(6) (5)D1 D1RDS(ON) = 33m (max.) @ VGS =-4.5VD2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru

 9.1. Size:277K  sino
 sm4601csk.pdf pdf_icon

SM4600CSK

SM4601CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N ChannelD1D2D230V/8A,RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5VG1S2 P ChannelG2-30V/-5A,Top View of SOP-8RDS(ON) = 53m (max.) @ VGS =-10V(8) (7)(6) (5)D1 D1RDS(ON) = 83m (max.) @ VGS =-4.5VD2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged

 9.2. Size:307K  sino
 sm4603csk.pdf pdf_icon

SM4600CSK

SM4603CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N ChannelD1D2D230V/8.7A,RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5VG1S2 P ChannelG2-30V/-8.2A,Top View of SOP 8RDS(ON) = 24m (max.) @ VGS =-10V(8) (7)(6) (5)D1 D1RDS(ON) = 38m (max.) @ VGS =-4.5VD2 D2 100% UIS Tested Reliable and Rugged

 9.3. Size:361K  huashuo
 hsm4606.pdf pdf_icon

SM4600CSK

HSM4606 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4606 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 22m 7A cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck -30V 26m -6A converter applications. The HSM4606 meet the RoHS and Green Product requirement

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SM2221CSQG , SM2222CSQG , SM2607CSC , SM2620CSC , SM2700CSC , SM3203CSQ , SM4066CSK , SM4066CSU4 , AO4468 , SM4601CSK , SM8401CSQ , SM8403CSQ , SM8404CSQ , SM8404CSQA , SM4603CSK , SM4901CSK , SM6041CSK .

History: DMN6068SE-13 | STN4NF06L

 

 
Back to Top

 


 
.