SM8404CSQA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SM8404CSQA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25(10.4) W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.9(11.5) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 105(40) pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039(0.0345) Ohm
Тип корпуса: DFN3X3B-8
Аналог (замена) для SM8404CSQA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SM8404CSQA даташит
sm8404csqa.pdf
SM8404CSQA Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N Channel Top View Bottom View 30V/11A, D2 D1D2 RDS(ON) = 34.5m (max.) @ VGS = 10V D1 RDS(ON) = 60m (max.) @ VGS = 4.5V G2 Pin 1 S2 P Channel S1G1 -30V/-13.3A, DFN3x3B-8_EP2 RDS(ON) = 39m (max.) @ VGS =-10V RDS(ON) = 61m (max.) @ VGS =-4.5V (8) (7) (6) (5) D1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg T
sm8404csq.pdf
SM8404CSQ Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N Channel 30V/5.2A, D2 D1D2 D1 RDS(ON) = 34.5m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 60m (max.) @ VGS = 4.5V G2 S2 S1G1 P Channel Top View of DFN3x3C-8 -30V/-5.2A, RDS(ON) = 39m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5) RDS(ON) = 61m (max.) @ VGS =-4.5V D1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru
sm8401csq.pdf
SM8401CSQ Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N Channel (Integrated Schottky Diode) D2 30V/6.9A, D1D2 D1 RDS(ON) = 29m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 42m (max.) @ VGS = 4.5V G2 S2 S1G1 RDS(ON) = 50m (max.) @ VGS = 4V P Channel Top View of DFN3x3C-8 -30V/-5.9A, RDS(ON) = 40m (max.) @ VGS =-10V RDS(ON) = 60m (max.) @ VGS =-4.5V (8) (7) (
sm8403csq.pdf
SM8403CSQ Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N Channel 30V/5.6A, D2 D1D2 RDS(ON) = 29m (max.) @ VGS = 10V D1 RDS(ON) = 39m (max.) @ VGS = 4.5V G2 S2 P Channel S1G1 -30V/-4.2A, Top View of DFN3x3C-8 RDS(ON) = 63m (max.) @ VGS =-10V RDS(ON) = 100m (max.) @ VGS =-4.5V (8) (7) (6) (5) 100% UIS + Rg Tested D1 D1 D2 D2 ESD Protection
Другие MOSFET... SM3203CSQ , SM4066CSK , SM4066CSU4 , SM4600CSK , SM4601CSK , SM8401CSQ , SM8403CSQ , SM8404CSQ , IRF3205 , SM4603CSK , SM4901CSK , SM6041CSK , SM6043CSQ , SM7308CSKP , RFL1N08 , RFL1N10 , RFL1N18 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827




