RFL2N06L - описание и поиск аналогов

 

RFL2N06L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFL2N06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для RFL2N06L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFL2N06L даташит

 ..1. Size:255K  njs
rfl2n05l rfl2n06l rfp4n05l rfp4n06l.pdfpdf_icon

RFL2N06L

 8.1. Size:89K  njs
rfl2n05 rlf2n06.pdfpdf_icon

RFL2N06L

Другие MOSFET... RFL1N10 , RFL1N18 , RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , AO3400 , RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP .

History: SI3585DV-T1 | ZXMP10A18KTC | 2SK2672 | FHP5N65C | AP4533GEM-HF | 2SK2080-01 | IRLS3034-7PPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.