RFL2N06L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RFL2N06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.33 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 65 ns

Выходная емкость (Cd): 100 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Другие MOSFET... RFL1N10 , RFL1N18 , RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , IRFZ34N , RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP .