AP9916J - описание и поиск аналогов

 

AP9916J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9916J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 18 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP9916J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9916J даташит

 8.1. Size:89K  ape
 ap9916h-j.pdf pdf_icon

AP9916J

AP9916H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 18V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Low drive current ID 35A G Single Drive Requirement S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with th

 8.2. Size:80K  ape
 ap9916gh ap9916gj.pdf pdf_icon

AP9916J

AP9916GH/J Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 18V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Low drive current ID 35A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-25

 9.1. Size:104K  1
 ap9918h ap9918j.pdf pdf_icon

AP9916J

AP9918H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A G Surface mount package S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the b

 9.2. Size:83K  ape
 ap9915h ap9915j.pdf pdf_icon

AP9916J

AP9915H/J Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A G Single Drive Requirement S Description G The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , RFL2N06L , RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , IRFB4115 , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP , IRFD123 , SIHFD123 , 2SK1202 , IPD06N03LA , IPU06N03LA .

History: AOC3860C | D2N60 | B2N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.