Справочник MOSFET. AP9916J

 

AP9916J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9916J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP9916J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9916J Datasheet (PDF)

 8.1. Size:89K  ape
 ap9916h-j.pdf pdf_icon

AP9916J

AP9916H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 18V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Low drive current ID 35A GSingle Drive Requirement SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with th

 8.2. Size:80K  ape
 ap9916gh ap9916gj.pdf pdf_icon

AP9916J

AP9916GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 18V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Low drive current ID 35A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDS TO-25

 9.1. Size:104K  1
 ap9918h ap9918j.pdf pdf_icon

AP9916J

AP9918H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the b

 9.2. Size:83K  ape
 ap9915h ap9915j.pdf pdf_icon

AP9916J

AP9915H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A GSingle Drive Requirement SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , RFL2N06L , RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , IRFP250N , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP , IRFD123 , SIHFD123 , 2SK1202 , IPD06N03LA , IPU06N03LA .

 

 
Back to Top

 


 
.