FHP740 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FHP740  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FHP740

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP740 даташит

 ..1. Size:158K  feihonltd
 fhp740.pdf pdf_icon

FHP740

 0.1. Size:674K  feihonltd
 fhp740c.pdf pdf_icon

FHP740

N N-CHANNEL MOSFET FHP740C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 10A Low gate charge VDSS 400V Crss ( 2.8pF) Low Crss (typical 2.8pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.53 Fast switching Qg-typ 15.7nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

 0.2. Size:895K  feihonltd
 fhp740a.pdf pdf_icon

FHP740

N N-CHANNEL MOSFET FHP740A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 11A Low gate charge VDSS 400V Crss ( 2.8pF) Low Crss (typical 2.8pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.53 Fast switching Qg-typ 15.7nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

Другие IGBT... 2SK3435-Z, AM4410N, APM2014N, B3942, CEB51A3, CEP51A3, CS4145, FDD6035AL, 12N60, FTP08N06A, GPT13N50, GPT13N50D, JCS4N65C, JCS4N65F, JCS4N65R, JCS4N65V, LSK389