FTP08N06A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTP08N06A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 985 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FTP08N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTP08N06A даташит

 ..1. Size:274K  inpower semi
 ftp08n06a.pdf pdf_icon

FTP08N06A

FTP08N06A N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications Automotive VDSS RDS(ON) (Max.) ID DC Motor Control 55V 8 m 120A Class D Amplifier Uninterruptible Power Supply (UPS) Features D RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve G Inductive Switching Curves G D S TO-220 Ordering I

 8.1. Size:468K  ark-micro
 ftp08n50 fta08n50.pdf pdf_icon

FTP08N06A

FTP08N50/FTA08N50 500V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 500V 0.9 8.0A Low Gate Charge (typical 33nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant/Lead Free Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Marking FTP08N50 TO-

Другие IGBT... AM4410N, APM2014N, B3942, CEB51A3, CEP51A3, CS4145, FDD6035AL, FHP740, 4435, GPT13N50, GPT13N50D, JCS4N65C, JCS4N65F, JCS4N65R, JCS4N65V, LSK389, MDV1528