FTP08N06A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FTP08N06A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 76 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 985 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FTP08N06A
FTP08N06A даташит
ftp08n06a.pdf
FTP08N06A N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications Automotive VDSS RDS(ON) (Max.) ID DC Motor Control 55V 8 m 120A Class D Amplifier Uninterruptible Power Supply (UPS) Features D RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve G Inductive Switching Curves G D S TO-220 Ordering I
ftp08n50 fta08n50.pdf
FTP08N50/FTA08N50 500V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 500V 0.9 8.0A Low Gate Charge (typical 33nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant/Lead Free Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Marking FTP08N50 TO-
Другие MOSFET... AM4410N , APM2014N , B3942 , CEB51A3 , CEP51A3 , CS4145 , FDD6035AL , FHP740 , CS150N03A8 , GPT13N50 , GPT13N50D , JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 .
History: GPT13N50D
History: GPT13N50D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73


