JCS4N65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS4N65F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220MF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JCS4N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS4N65F даташит

 ..1. Size:1447K  jilin sino
 jcs4n65f jcs4n65v jcs4n65r jcs4n65b jcs4n65m jcs4n65mf.pdf pdf_icon

JCS4N65F

R JCS4N65E JCS4N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_max 2.5 Vgs=10V Qg-typ 11.9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low gate

 ..2. Size:1866K  jilin sino
 jcs4n65v jcs4n65r jcs4n65c jcs4n65f jcs4n65b jcs4n65m jcs4n65mf.pdf pdf_icon

JCS4N65F

R JCS4N65C JCS4N65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_ Typ 2.1 Vgs=1 Max 2.6 0V Qg-typ 14nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low g

 0.1. Size:831K  jilin sino
 jcs4n65vb jcs4n65rb jcs4n65cb jcs4n65fb.pdf pdf_icon

JCS4N65F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 0.2. Size:779K  jilin sino
 jcs4n65f-c-r-v.pdf pdf_icon

JCS4N65F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEP51A3, CS4145, FDD6035AL, FHP740, FTP08N06A, GPT13N50, GPT13N50D, JCS4N65C, NCEP15T14, JCS4N65R, JCS4N65V, LSK389, MDV1528, ME60N03, ME60N03A, NE5520279A, NTE458