MDV1528 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MDV1528 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0188 Ohm
Тип корпуса: PDFN33
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MDV1528
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MDV1528 даташит
mdv1528.pdf
MDV1528 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 16A, 18.8m General Description Features The MDV1528 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 30V Technology, which provides high performance in on-state I = 16A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDV1528 is suitable for DC/DC converter and
mdv1528urh.pdf
MDV1528 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 16A, 18.8m General Description Features The MDV1528 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides high performance in on-state ID = 16A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) quality. MDV1528 is suitable for DC/DC converter and
mdv1526urh.pdf
MDV1526 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 24A, 11m General Description Features The MDV1526 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides high performance in on-state ID = 20A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) quality. MDV1526 is suitable for DC/DC converter and
mdv1525urh.pdf
MDV1525 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 24A, 10.1m General Description Features The MDV1525 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides high performance in on-state ID = 24A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) quality. MDV1525 is suitable for DC/DC converter and
Другие IGBT... FTP08N06A, GPT13N50, GPT13N50D, JCS4N65C, JCS4N65F, JCS4N65R, JCS4N65V, LSK389, IRFP250, ME60N03, ME60N03A, NE5520279A, NTE458, PHB55N03LTA, PHD55N03LTA, PHP55N03LTA, QM3006D
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
Popular searches
13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay









