SI4340DY - описание и поиск аналогов

 

SI4340DY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI4340DY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: SO14

Аналог (замена) для SI4340DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4340DY даташит

 ..1. Size:143K  vishay
si4340dy.pdfpdf_icon

SI4340DY

Si4340DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.012 at VGS = 10 V 9.6 Channel-1 TrenchFET Power MOSFET 0.0175 at VGS = 4.5 V 7.8 100 % Rg Tested 20 0.010 at VGS = 10 V 13.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Chann

 7.1. Size:224K  vishay
si4340ddy.pdfpdf_icon

SI4340DY

Si4340DDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0085 at VGS = 10 V 14.8 TrenchFET Power MOSFET Channel-1 20 8.1 0.0115 at VGS = 4.5 V 12.8 100 % Rg Tested 0.0070 at VGS = 10 V 22 Channel-2 20 8.4 100 % UIS T

 8.1. Size:1202K  vishay
si4340cd.pdfpdf_icon

SI4340DY

Si4340CDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0094 at VGS = 10 V 14.1 TrenchFET Power MOSFET Channel-1 20 9.6 0.0125 at VGS = 4.5 V 12.2 100 % Rg Tested 0.008 at VGS = 10 V 20 Channel-2 20 14.1 100 % UIS Te

 9.1. Size:77K  vishay
si4348dy.pdfpdf_icon

SI4340DY

Si4348DY New Product Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen II Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Pb-free 0.0125 at VGS = 10 V 11 APPLICATIONS 30 RoHS 0.014 at VGS = 4.5 V 10 COMPLIANT High-Side DC/DC Conversion - Notebook - Desktop - Server Notebook Logic DC/DC, Low-Side SO-8 D S 1 8 D S D 2 7 S

Другие MOSFET... ME60N03 , ME60N03A , NE5520279A , NTE458 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , 18N50 , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F , TSF8N60M , TSP8N60M , UTC50N06L , STK0460F , FMH23N50E .

History: SM6128NSKP | 2N7002G-AE2-R | LS4119

 

 

 

 

↑ Back to Top
.