Справочник MOSFET. SI4340DY

 

SI4340DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4340DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: SO14

 Аналог (замена) для SI4340DY

 

 

SI4340DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  vishay
 si4340dy.pdf

SI4340DY SI4340DY

Si4340DYVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.012 at VGS = 10 V 9.6Channel-1 TrenchFET Power MOSFET0.0175 at VGS = 4.5 V 7.8 100 % Rg Tested200.010 at VGS = 10 V 13.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECChann

 7.1. Size:224K  vishay
 si4340ddy.pdf

SI4340DY SI4340DY

Si4340DDYVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0085 at VGS = 10 V 14.8 TrenchFET Power MOSFETChannel-1 20 8.10.0115 at VGS = 4.5 V 12.8 100 % Rg Tested0.0070 at VGS = 10 V 22Channel-2 20 8.4 100 % UIS T

 8.1. Size:1202K  vishay
 si4340cd.pdf

SI4340DY SI4340DY

Si4340CDYVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0094 at VGS = 10 V 14.1 TrenchFET Power MOSFETChannel-1 20 9.60.0125 at VGS = 4.5 V 12.2 100 % Rg Tested0.008 at VGS = 10 V 20Channel-2 20 14.1 100 % UIS Te

 9.1. Size:77K  vishay
 si4348dy.pdf

SI4340DY SI4340DY

Si4348DYNew ProductVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen II Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-free0.0125 at VGS = 10 V 11APPLICATIONS30RoHS0.014 at VGS = 4.5 V 10COMPLIANT High-Side DC/DC Conversion- Notebook- Desktop- Server Notebook Logic DC/DC, Low-SideSO-8DS1 8 DS D2 7S

 9.2. Size:228K  vishay
 si4346dy.pdf

SI4340DY SI4340DY

Si4346DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.023 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Gen II Power MOSFET0.025 at VGS = 4.5 V 7.5 100 % Rg Tested 30 6.50.030 at VGS = 3.0 V 6.80.036 at VGS = 2.5 V 6.0APPLICATIONS High-Side DC/DC Con

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top