Справочник MOSFET. SVF2N60F

 

SVF2N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF2N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60F

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

 ..2. Size:362K  silan
 svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

SVF2N60F

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 ..3. Size:600K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60F

SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 2A600V N SVF2N60M/MJ/N/F/T/D NMOSF-CellTMVDMOS

 ..4. Size:519K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60nf svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60F

SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION 2SVF2N60M(MJ)(N)(NF)(F)(T)(D) is an N-channel enhancement mode 13TO-252-2Lpower MOS field effect transistor which is produced using Silan 1proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved 31process and cell structure have been especially tailored to minimize 231.Gate 2.Dra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: QM2416C1 | MTE05N10FP | IPD50R280CE | IRF1607 | AP2422GY | NDT6N70 | HUFA76407D3

 

 
Back to Top

 


 
.