SVF2N60F - описание и поиск аналогов

 

SVF2N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF2N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVF2N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N60F даташит

 ..1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60F

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A 600V N 2 SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 3 TO-126F-3L

 ..2. Size:362K  silan
 svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

SVF2N60F

 ..3. Size:600K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60F

 ..4. Size:519K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60n svf2n60nf svf2n60f svf2n60t svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60F

SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION 2 SVF2N60M(MJ)(N)(NF)(F)(T)(D) is an N-channel enhancement mode 1 3 TO-252-2L power MOS field effect transistor which is produced using Silan 1 proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved 3 1 process and cell structure have been especially tailored to minimize 2 3 1.Gate 2.Dra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TSP8N60M , UTC50N06L , STK0460F , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 , SVF2N60M , IRF1405 , SVF2N60T , SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 .

History: 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513

 

 

 

 

↑ Back to Top
.