Справочник MOSFET. HFP45N06

 

HFP45N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HFP45N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 131 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 74 ns

Выходная емкость (Cd): 600 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HFP45N06

 

 

HFP45N06 Datasheet (PDF)

1.1. hfp45n06.pdf Size:263K _shantou-huashan

HFP45N06
HFP45N06

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP45N06 █ APPLICATIONSL TO-220 Low Voltage high-Speed Switching. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯-55~175℃ 1―G Tj ——Operating Junction Temperature ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃ 2―D PD —— Allowable Power Dissipation(Tc

5.1. irfp450a sihfp450a.pdf Size:302K _vishay

HFP45N06
HFP45N06

IRFP450A, SiHFP450A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.40 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 64 Ruggedness COMPLIANT Qgs (nC) 16 Fully Characterized Capacitance and Qgd (nC) 26 Avalanche Voltage and Current Configuration Sin

5.2. irfp450 sihfp450.pdf Size:1560K _vishay

HFP45N06
HFP45N06

IRFP450, SiHFP450 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.40 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 150 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 20 Ease of Paralleling Qgd (nC) 80 Simple Drive Requirements Configuration Single Lead (Pb)-free Available

 5.3. irfp450lc sihfp450lc.pdf Size:1566K _vishay

HFP45N06
HFP45N06

IRFP450LC, SiHFP450LC Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate Charge VDS (V) 500 Reduced Gate Drive Requirement Available RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.40 Enhanced 30 V VGS Rating RoHS* Qg (Max.) (nC) 74 Reduced Ciss, Coss, Crss COMPLIANT Qgs (nC) 19 Isolated Central Mounting Hole Qgd (nC) 35 Dynamic dV/dt Rated Configuration Single Repeti

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top

 


HFP45N06
  HFP45N06
  HFP45N06
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: BUK637-400B | BUK437-500A | CMI80N06 | CMB80N06 | CMP80N06 | MTY30N50E | 2SK3262-01MR | VN88AF | TK290P60Y | SW069R10VS | SUP70040E | SUD25N15-52-E3 | STP30NF10FP | SKS10N20 | SiHA11N80E |
 

 

 

 

Back to Top