Справочник MOSFET. HFP80N75

 

HFP80N75 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP80N75
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 437 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP80N75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  shantou-huashan
 hfp80n75.pdf pdf_icon

HFP80N75

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP80N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 80A, 75V(See Note), RDS(on)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SMP3003-DL-1E | SMN09L20D

 

 
Back to Top

 


 
.