HFP80N75 - описание и поиск аналогов

 

HFP80N75. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP80N75

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 437 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HFP80N75

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP80N75 даташит

 ..1. Size:395K  shantou-huashan
 hfp80n75.pdf pdf_icon

HFP80N75

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP80N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 80A, 75V(See Note), RDS(on)

Другие MOSFET... HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 , HFP75N08 , HFP75N80C , HFP7N60 , HFP7N80 , AON6414A , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , HFU70N03V , 2SJ655 , 2SK2056 .

History: AP50T10AGI-HF | KI2305DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.