Справочник MOSFET. HFP80N75

 

HFP80N75 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP80N75
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 437 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HFP80N75

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP80N75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  shantou-huashan
 hfp80n75.pdf pdf_icon

HFP80N75

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP80N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 80A, 75V(See Note), RDS(on)

Другие MOSFET... HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 , HFP75N08 , HFP75N80C , HFP7N60 , HFP7N80 , IRFB4110 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , HFU70N03V , 2SJ655 , 2SK2056 .

History: AM10P10-530D | IRFS232 | KNP2404A | WMJ80R160S | AP2310S | KI9926A

 

 
Back to Top

 


 
.