AO4472 - описание и поиск аналогов

 

AO4472. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4472

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 638 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: SOIC8

Аналог (замена) для AO4472

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4472 даташит

 ..1. Size:158K  aosemi
ao4472.pdfpdf_icon

AO4472

AO4472 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO4472 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = 30V excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode www.DataSheet4U.com ID = 19A (VGS = 10V) characteristics and ultra-low gate resistance. This device is RDS(ON)

 9.1. Size:129K  aosemi
ao4474.pdfpdf_icon

AO4472

AO4474 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO4474/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device VDS (V) = 30V is suitable for use as a high side switch in SMPS and ID = 13.4A (VGS = 10V) general purpose applications. RDS(ON)

 9.2. Size:365K  aosemi
ao4476a.pdfpdf_icon

AO4472

AO4476A 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4476A combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 15A extremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:192K  aosemi
ao4478.pdfpdf_icon

AO4472

AO4478 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO4478 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON), low gate charge. This ID = 9A (VGS = 10V) device is suitable for use as general puspose, PWM and RDS(ON)

Другие MOSFET... HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 , HFU70N03V , 2SJ655 , 2SK2056 , 2SK2617ALS , 2SK3607-01MR , STP75NF75 , AON6324 , SD2932 , STK1820F , STP55NE06 , STP55NE06FP , SUD50N024-06P , SVF7N65T , SVF7N65F .

History: SM4953KC | AP4920GM-HF | 2SK2223-01 | SM4303PSUC | SWD5N65K | 2SK4171 | IRF8721TR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.