SVF7N65T - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVF7N65T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVF7N65T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 145 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 48 ns
   Выходная емкость (Cd): 98.6 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SVF7N65T

SVF7N65T Datasheet (PDF)

..1. Size:407K silan
svf7n65f svf7n65s svf7n65str svf7n65t.pdf

SVF7N65T/F/S 7A650V N 2 SVF7N65T/F/S N MOS 1 F-CellTM VDMOS 31. 2. 3.

..2. Size:575K silan
svf7n65t svf7n65f svf7n65s.pdf

SVF7N65T/F/S 7A650V N SVF7N65T/F/S N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

7.1. Size:321K silan
svf7n65cfjh.pdf

SVF7N65CFJH 7A650V N 2SVF7N65CFJH N MOS F-CellTM VDMOS 13

7.2. Size:626K silan
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65cs svf7n65cfq.pdf

SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ 7A650V N SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ N MOS F-CellTM VDMOS

7.3. Size:623K silan
svf7n65f-t.pdf

SVF7N65T/F_Datasheet 7A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF7N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

7.4. Size:641K silan
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65ct.pdf