Справочник MOSFET. AO4772

 

AO4772 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO4772
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOIC8

 Аналог (замена) для AO4772

 

 

AO4772 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  aosemi
 ao4772.pdf

AO4772 AO4772

AO477230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VAO4772 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID (at VGS=10V) 6Aprovided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:292K  aosemi
 ao4771.pdf

AO4772 AO4772

AO477130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VAO4771 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID (at VGS=-10V) -4Aprovided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.2. Size:2239K  kexin
 ao4771.pdf

AO4772 AO4772

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4771 (KO4771)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = -30V ID = -4 A (VGS = -10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 68m (VGS = -10V) RDS(ON) 105m (VGS = -4.5V)1 A 5 D2 A 6 D VDS (V) = 30V, IF = 4A, VF

Другие MOSFET... AO4474 , AO4607 , AO4614 , AO4617 , AO4708 , AO4722 , AO4726 , AO4728 , 4435 , AO4916 , AO4916L , AO4926 , AO4928 , AO6806 , AO8803 , AO8806 , AO8816 .

History: IXTH6N90

 

 
Back to Top