AO4772 - описание и поиск аналогов

 

AO4772. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4772

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOIC8

Аналог (замена) для AO4772

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4772 даташит

 ..1. Size:289K  aosemi
ao4772.pdfpdf_icon

AO4772

AO4772 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V AO4772 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID (at VGS=10V) 6A provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:292K  aosemi
ao4771.pdfpdf_icon

AO4772

AO4771 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V AO4771 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID (at VGS=-10V) -4A provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.2. Size:2239K  kexin
ao4771.pdfpdf_icon

AO4772

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4771 (KO4771) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = -30V ID = -4 A (VGS = -10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 68m (VGS = -10V) RDS(ON) 105m (VGS = -4.5V) 1 A 5 D 2 A 6 D VDS (V) = 30V, IF = 4A, VF

Другие MOSFET... AO4474 , AO4607 , AO4614 , AO4617 , AO4708 , AO4722 , AO4726 , AO4728 , IRFP450 , AO4916 , AO4916L , AO4926 , AO4928 , AO6806 , AO8803 , AO8806 , AO8816 .

History: 2SK293 | SMK0825FC | SM6012NSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.