AOD4100. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AOD4100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AOD4100
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AOD4100 даташит
aod4100.pdf
AOD4100 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD4100 uses advanced trench technology to VDS (V) = 25V provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and ID = 50A (VGS = 10V) body diode characteristics. This device is ideally suite RDS(ON)
aod410.pdf
AOD410 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD410 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID = 8A (VGS = 10V) device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)
aod4102.pdf
AOD4102/AOI4102 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AOD4102/AOI4102 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with ID (at VGS=10V) 19A low gate charge. This device is suitable for use in PWM, RDS(ON) (at VGS=10V)
aod4104.pdf
AOD4104 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOD4104 uses advanced trench technology to VDS (V) = 25V provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and ID = 75A (VGS = 10V) body diode characteristics. This device is ideally suite RDS(ON)
Другие MOSFET... AOB25S65L , AOB270L , AOB27S60L , AOB418 , AOB482 , AOB4S60L , AOB7S60L , AOB7S65L , IRLB3034 , AOD4104 , AOD4106 , AOD4110 , AOD4112 , AOI1N60L , AOI472A , AOI518 , AOK18N65L .
History: 2SK293 | SMK0825FC | SM6012NSUB
History: 2SK293 | SMK0825FC | SM6012NSUB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a






