Справочник MOSFET. IRF831FI

 

IRF831FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF831FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 30(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220

 Аналог (замена) для IRF831FI

 

 

IRF831FI Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF823 , IRF830 , IRF830A , IRF830AL , IRF830AS , IRF830FI , IRF830S , IRF831 , AON6380 , IRF832 , IRF833 , IRF840 , 2SK2209-01R , IRF840A , IRF840AS , IRF840FI , IRF840S .