Справочник MOSFET. AOL1704

 

AOL1704 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOL1704
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: ULTRASO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOL1704 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  aosemi
 aol1704.pdf pdf_icon

AOL1704

AOL1704N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMSRFET AOL1704 uses advanced trenchVDS (V) = 30Vtechnology with a monolithically integrated SchottkyID =50A (VGS = 10V)diode to provide excellent RDS(ON),and low gatecharge. This device is suitable for use as a low side RDS(ON)

 8.1. Size:244K  aosemi
 aol1700.pdf pdf_icon

AOL1704

AOL1700N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMVDS (V) = 30VSRFET AOL1700 uses advanced trenchID =85A (VGS = 10V)technology with a monolithically integrated Schottkydiode to provide excellent RDS(ON),and low gateRDS(ON)

 9.1. Size:253K  aosemi
 aol1712.pdf pdf_icon

AOL1704

AOL1712N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMVDS (V) = 30VSRFET AOL1712 uses advanced trenchID =65A (VGS = 10V)technology with a monolithically integrated Schottkydiode to provide excellent RDS(ON),and low gateRDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFS341 | BSO203SP | 2SK787 | AOD400 | STU624S | STH7N90 | AOB780A70L

 

 
Back to Top

 


 
.