Справочник MOSFET. AON5802A

 

AON5802A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AON5802A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X5

 Аналог (замена) для AON5802A

 

 

AON5802A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  aosemi
 aon5802a.pdf

AON5802A AON5802A

AON5802A, AON5802ALCommon-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeaturesThe AON5802A uses advanced trench technology to provide VDS (V) = 30Vexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID = 7.2A (VGS = 4.5V)voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for u

 7.1. Size:269K  aosemi
 aon5802b.pdf

AON5802A AON5802A

AON5802B30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON5802B uses advanced trench technology to 30Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=4.5V) 7.2Awith gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 7.2. Size:414K  aosemi
 aon5802bg.pdf

AON5802A AON5802A

AON5802BG30V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Low RDS(ON) 30V With ESD Protection to improve battery performance ID (at VGS=12V) 10A and safety RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:127K  aosemi
 aon5800.pdf

AON5802A AON5802A

AON5800Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AON5800 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 8 A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 1.8V while RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top