Справочник MOSFET. AON7514

 

AON7514 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON7514
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7514 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  aosemi
aon7514.pdfpdf_icon

AON7514

AON751430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:213K  aosemi
aon7518.pdfpdf_icon

AON7514

AON751830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:251K  aosemi
aon7510.pdfpdf_icon

AON7514

AON751030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 75A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:269K  aosemi
aon7516.pdfpdf_icon

AON7514

AON751630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HTD025N03 | AP4604IN | IRL8113LPBF | STD14NM50N | 2SK1471 | IRLSZ34A | 2SK1637

 

 
Back to Top

 


 
.