AON6534 - аналоги и даташиты транзистора

 

AON6534 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AON6534
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6534 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  aosemi
 aon6534.pdf pdf_icon

AON6534

AON653430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:288K  aosemi
 aon6530.pdf pdf_icon

AON6534

AON653030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 72A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:312K  aosemi
 aon6532.pdf pdf_icon

AON6534

AON653230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:288K  aosemi
 aon6538.pdf pdf_icon

AON6534

AON653830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 75A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6408 , AON6410 , AON6414 , AON6414AL , AON6418 , AON6422 , AON6454 , AON6514 , IRF9640 , AON6542 , AON6702 , AON6704A , AON6708 , AON6710 , AON6712 , AON6716 , 2SK0601 .

 

 
Back to Top

 


 
.