2SK1642 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK1642  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SK1642

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1642 даташит

 ..1. Size:669K  toshiba
 2sk1642.pdf pdf_icon

2SK1642

 8.1. Size:670K  toshiba
 2sk1643.pdf pdf_icon

2SK1642

 8.2. Size:73K  toshiba
 2sk1641.pdf pdf_icon

2SK1642

Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

 8.3. Size:55K  renesas
 2sk1647.pdf pdf_icon

2SK1642

To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog and discrete devices, and memory chips other than DRAM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3636, 2SK3638, 2SK3639, 2SK3640, 2SK3641, 2SK3643, 2SK1637, 2SK1641, AO3400, 2SK1643, 2SK1649, 2SK1650, 2SK1651, 2SK1652, 2SK1653, 2SK1658, 2SK2030