Справочник MOSFET. 2SK2081-01

 

2SK2081-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2081-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SK2081-01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2081-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  fuji
2sk2081-01.pdfpdf_icon

2SK2081-01

FUJI POWER MOSFET2SK2081-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFAP-IIA SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh speed switchingTO-3PLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGS=30V GuaranteeAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS3. Source DC-DC convertersJEDECGeneral purpose power amplifierEIAJ SC-65Equivalent circuit schem

 ..2. Size:222K  inchange semiconductor
2sk2081-01.pdfpdf_icon

2SK2081-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2081-01DESCRIPTIONDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUPSDC-DC ConvertersGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM

 8.1. Size:85K  1
2sk2084stl-e.pdfpdf_icon

2SK2081-01

2SK2084(L), 2SK2084(S) Silicon N Channel MOS FET REJ03G0995-0200 (Previous: ADE-208-1342) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC - DC converter Outline RENESAS Package co

 8.2. Size:305K  toshiba
2sk208.pdfpdf_icon

2SK2081-01

2SK208 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK208 General Purpose and Impedance Converter and Unit: mm Condenser Microphone Applications High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: I = -1.0 nA (max) (V = -30 V) GSS GS Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (R = 100 k, f = 120 Hz) G Small package. Maximum Ratings (Ta ==

Другие MOSFET... 2SK2045 , 2SK2045LS , 2SK2052-R , 2SK2054C , 2SK2057 , 2SK2059L , 2SK2059S , 2SK2080-01R , TK10A60D , 2SK2082-01 , 2SK2084S , 2SK2088 , 2SK2089 , 2SK319 , 2SK3192 , 2SK320 , 2SK3203L .

History: P1010AT | SIHFI740G | DG2N60-251 | 2SK117 | SFS15R065PNF | VBFB1311 | CS6N70FB9D

 

 
Back to Top

 


 
.