Справочник MOSFET. IRF9240

 

IRF9240 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9240
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 85(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF9240

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9240 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  international rectifier
irf9240.pdfpdf_icon

IRF9240

PD - 90420REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF9240HEXFETTRANSISTORS 200V, P-CHANNELTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF9240 -200V 0.5 -11AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design

 0.1. Size:519K  samsung
irfp9240-43 irf9240-43 irf9640-43.pdfpdf_icon

IRF9240

 0.2. Size:25K  semelab
irf9240smd.pdfpdf_icon

IRF9240

IRF9240IRFN9240IRF9240SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET25.15 (0.99)6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42)IRF924011.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)D1 23(case)G3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312)12.70 (0.50)STO3 Package (TO-204AA)FEATURESPin 1 Gate Pin 2 Source Pin 3 Drain P

Другие MOSFET... IRF840S , IRF841 , IRF841FI , IRF842 , IRF843 , IRF9130 , IRF9140 , IRF9230 , IRFZ48N , IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 , IRF9513 , IRF9520 , IRF9520N .

 

 
Back to Top

 


 
.