2SK160A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK160A

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 50 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 650 Ohm

Тип корпуса: MINIMOLD

Аналог (замена) для 2SK160A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK160A даташит

 ..1. Size:390K  renesas
2sk160a.pdfpdf_icon

2SK160A

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:673K  toshiba
2sk1602.pdfpdf_icon

2SK160A

 8.2. Size:673K  toshiba
2sk1600.pdfpdf_icon

2SK160A

2sk160

 8.3. Size:36K  panasonic
2sk1606.pdfpdf_icon

2SK160A

Другие IGBT... 2SK1010-01, 2SK1572, 2SK1574, 2SK1590C, 2SK1600, 2SK1601, 2SK1602, 2SK1603, 18N50, 2SK1626, 2SK1627, 2SK1629-E1-E, 2SK1660, 2SK1662M, 2SK1681, 2SK1683, 2SK2180