Справочник MOSFET. IRF9520NL

 

IRF9520NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9520NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IRF9520NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9520NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  international rectifier
 irf9520nl.pdf pdf_icon

IRF9520NL

PD -91522AIRF9520NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9520S) VDSS = -100V Low-profile through-hole (IRF9520L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.48 Fast SwitchingG P-ChannelID = -6.8A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve

 ..2. Size:418K  international rectifier
 irf9520nlpbf.pdf pdf_icon

IRF9520NL

PD- 95764IRF9520NSPbFIF9520NLPbF Lead-Freewww.irf.com 104/26/05IRF9520NS/LPbF2 www.irf.comIRF9520NS/LPbFwww.irf.com 3IRF9520NS/LPbF4 www.irf.comIRF9520NS/LPbFwww.irf.com 5IRF9520NS/LPbF6 www.irf.comIRF9520NS/LPbFwww.irf.com 7IRF9520NS/LPbFD2Pak Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches)D2Pak Part Marking InformationTHIS IS A

 6.1. Size:160K  international rectifier
 irf9520npbf.pdf pdf_icon

IRF9520NL

PD - 95411IRF9520NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = -100Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.48l P-ChannelGl Fully Avalanche RatedID = -6.8Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-res

 6.2. Size:155K  international rectifier
 irf9520ns.pdf pdf_icon

IRF9520NL

PD -91522AIRF9520NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9520S) VDSS = -100V Low-profile through-hole (IRF9520L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.48 Fast SwitchingG P-ChannelID = -6.8A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF9410 , IRF9510 , IRF9510S , IRF9511 , IRF9512 , IRF9513 , IRF9520 , IRF9520N , HY1906P , IRF9520NS , IRF9521 , IRF9522 , IRF9523 , IRF9530 , IRF9530N , APT5015BLC , IRF9530NL .

 

 
Back to Top

 


 
.