2SK4213A-ZK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK4213A-ZK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
trⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO252
2SK4213A-ZK Datasheet (PDF)
2sk4213-zk 2sk4213a-zk.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK4213SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK4213 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. FEATURES Low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 m M
2sk4213a.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK4213AFEATURESDrain Current : I = 64A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6.0m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
2sk4213.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK4213SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK4213 is N-channel MOS FET device that features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and designed for low voltage high current applications such as DC/DC converter with synchronous rectifier. FEATURES Low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 m M
2sk4210.pdf

2SK4210Ordering number : ENA1517SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SK4210ApplicationsFeatures Low ON-resistance, ultrahigh-speed switching. Adoption of high reliability HVP process. Avalanche resistance guarantee.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitD
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210