Справочник MOSFET. 2SK2360

 

2SK2360 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2360
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для 2SK2360

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2360 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  nec
2sk2359 2sk2360.pdfpdf_icon

2SK2360

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2359/2SK2360SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-Z is N-Channel(in millimeters)MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switchingapplications. 10.6 MAX. 4.8 MAX.3.6 0.21.3 0.210.0FEATURES Low On-Resistance42SK2359: RDS(o

 8.1. Size:86K  nec
2sk2369 2sk2370.pdfpdf_icon

2SK2360

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2369/2SK2370SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2369/2SK2370 is N-Channel MOS Field Effect Transis-(in millimeters)tor designed for high voltage switching applications. 3.0 0.2FEATURES4.7 MAX.15.7 MAX1.5 Low On-Resistance2SK2369: RDS(on) = 0.35 (VGS = 10 V, ID = 1

 8.2. Size:99K  nec
2sk2367 2sk2368.pdfpdf_icon

2SK2360

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2367/2SK2368SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2367/2SK2368 is N-Channel MOS Field Effect Transistor(in millimeter)designed for high voltage switching applications.4.7 MAX.15.7 MAX. 3.20.21.5FEATURES4 Low On-Resistance2SK2367: RDS (on) = 0.5 (VGS = 10 V, ID = 8.0 A)

 8.3. Size:85K  nec
2sk2361 2sk2362.pdfpdf_icon

2SK2360

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTORS2SK2361/2SK2362SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2361/2SK2362 is N-Channel MOS Field Effect Transistor(in millimeter)designed for high voltage switching applications.FEATURES 4.7 MAX.15.7 MAX. 3.20.21.5 Low On-Resistance42SK2361: RDS (on) = 0.9 (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)

Другие MOSFET... 2SK113Y , 2SK1159 , 2SK1163 , 2SK1164 , 2SK1169 , 2SK2351 , 2SK2359 , 2SK2359-Z , IRF9640 , 2SK2360-Z , 2SK2361 , 2SK2362 , 2SK2365 , 2SK2365-Z , 2SK2366 , 2SK2366-Z , 2SK2371 .

History: IRF3808LPBF | IXTT26N50P | AON6538 | IPB70N10S3-12 | TPCA8060-H | OSG65R080KT3ZF | CES2362

 

 
Back to Top

 


 
.