2SK2365-Z. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK2365-Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SK2365-Z
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK2365-Z даташит
2sk2365-z 2sk2366-z.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 2SK2365/2SK2366 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2365, 2SK2365-Z/2SK2366, 2SK2366-Z is N-Channel (in millimeters) MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. 10.6 MAX. 4.8 MAX. 3.6 0.2 1.3 0.2 10.0 FEATURES Low On-Resistance 2SK2365 RDS(on)
2sk2369 2sk2370.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 2SK2369/2SK2370 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2369/2SK2370 is N-Channel MOS Field Effect Transis- (in millimeters) tor designed for high voltage switching applications. 3.0 0.2 FEATURES 4.7 MAX. 15.7 MAX 1.5 Low On-Resistance 2SK2369 RDS(on) = 0.35 (VGS = 10 V, ID = 1
2sk2359 2sk2360.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 2SK2359/2SK2360 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2359, 2SK2359-Z/2SK2360, 2SK2360-Z is N-Channel (in millimeters) MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. 10.6 MAX. 4.8 MAX. 3.6 0.2 1.3 0.2 10.0 FEATURES Low On-Resistance 4 2SK2359 RDS(o
2sk2367 2sk2368.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS 2SK2367/2SK2368 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2367/2SK2368 is N-Channel MOS Field Effect Transistor (in millimeter) designed for high voltage switching applications. 4.7 MAX. 15.7 MAX. 3.2 0.2 1.5 FEATURES 4 Low On-Resistance 2SK2367 RDS (on) = 0.5 (VGS = 10 V, ID = 8.0 A)
Другие MOSFET... 2SK2351 , 2SK2359 , 2SK2359-Z , 2SK2360 , 2SK2360-Z , 2SK2361 , 2SK2362 , 2SK2365 , AO4407A , 2SK2366 , 2SK2366-Z , 2SK2371 , 2SK2372 , 2SK2386 , 2SK2388 , 2SK2389 , 2SK2402 .
History: FTK8205A | 2SK2360-Z | 2SK1447 | CJK1508
History: FTK8205A | 2SK2360-Z | 2SK1447 | CJK1508
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142





