2SK2146 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK2146
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2SK2146 Datasheet (PDF)
2sk2146.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2146 DESCRIPTION Drain Current ID= 2A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 250V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Switching regulators ,DC-DC converter,Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 250 V
2sk2141.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2141SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2141 is N-channel Power MOS Field Effect Transis-(in millimeters)tor designed for high voltage switching applications.10.0 0.3 4.5 0.2FEATURES3.2 0.22.7 0.2 Low On-state ResistanceRDS(on) = 1.1 MAX. (VGS = 10 V, ID = 3
2sk2140 2sk2140-z.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2140, 2SK2140-ZSWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SK2140, 2SK2140-Z is N-channel Power MOS Field Effect(in millimeters)Transistor designed for high voltage switching applications.10.6 MAX. 4.8 MAX.3.6 0.2FEATURES1.3 0.210.0 Low On-state ResistanceRDS(on) = 1.5 MAX.
2sk2145.pdf

2SK2145 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK2145 Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Including two devices in SM5 (super mini type with 5 leads.) High |Y |: |Y | = 15 mS (typ.) at V = 10 V, V = 0 fs fs DS GS High breakdown voltage: V = -50 V GDS Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at V = 10 V, I = 0.5 mA, f = 1 k
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HAT2265H | STB18NF25 | IRF644NS | NTMD6P02R2 | IPW60R330P6 | OSG65R760IF | WML15N80M3
History: HAT2265H | STB18NF25 | IRF644NS | NTMD6P02R2 | IPW60R330P6 | OSG65R760IF | WML15N80M3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320