2SK4066-DL-1E - описание и поиск аналогов

 

2SK4066-DL-1E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK4066-DL-1E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 630 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для 2SK4066-DL-1E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK4066-DL-1E даташит

 ..1. Size:285K  onsemi
2sk4066-1e 2sk4066-dl-1e.pdfpdf_icon

2SK4066-DL-1E

Ordering number ENA0225C 2SK4066 N-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 100A, 4.7m , TO-262-3L/TO-263-2L Features ON-resistance RDS(on)1=3.6m (typ.) Input capacitance Ciss=12500pF (typ.) 4V drive Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-Source Voltage VGSS

 3.1. Size:52K  sanyo
2sk4066-dl-e.pdfpdf_icon

2SK4066-DL-1E

Ordering number ENA0225A 2SK4066 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SK4066 Applications Features Low ON-resistance. Load switching applications. Avalanche resistance guarantee. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 V Gate-to-

 7.1. Size:377K  sanyo
2sk4066.pdfpdf_icon

2SK4066-DL-1E

2SK4066 Ordering number ENA0225B SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device 2SK4066 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=3.6m (typ.) Input capacitance Ciss=12500pF (typ.) 4V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60

 7.2. Size:357K  inchange semiconductor
2sk4066b.pdfpdf_icon

2SK4066-DL-1E

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK4066B FEATURES Drain Current I =100A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.7m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

Другие MOSFET... 2SK3354-ZJ , 2SK3355 , 2SK3355-Z , 2SK3357 , 2SK3362-01 , 2SK3363-01 , 2SK3364-01 , 2SK4066-1E , STP75NF75 , 2SK4066-DL-E , 2SK4066-E , 2SK4069-S27-AY , 2SK4069-ZK-E1-AY , 2SK4069-ZK-E2-AY , 2SK4080-S27-AY , 2SK4080-ZK-E1-AY , 2SK4080-ZK-E2-AY .

History: SM1102PSF | 2SK580S | DMHT6016LFJ | 2SK278 | 2SK4059TK | SSC8022GS6 | AOC3870

 

 

 

 

↑ Back to Top
.