2SK3385-Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3385-Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 2SK3385-Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3385-Z даташит

 ..1. Size:228K  renesas
2sk3385-z.pdfpdf_icon

2SK3385-Z

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 ..2. Size:287K  inchange semiconductor
2sk3385-z.pdfpdf_icon

2SK3385-Z

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3385-Z FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 28m (Max) @VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

 7.1. Size:798K  cn vbsemi
2sk3385.pdfpdf_icon

2SK3385-Z

2SK3385 www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.025 at VGS = 10 V 35 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted

 7.2. Size:354K  inchange semiconductor
2sk3385.pdfpdf_icon

2SK3385-Z

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3385 FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 28m (Max) @VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid dr

Другие IGBT... 2SK3365-Z, 2SK3366, 2SK3366-Z, 2SK3367, 2SK3367-Z, 2SK3377, 2SK3377-Z, 2SK3385, IRF840, 2SK3386, 2SK3386-Z, 2SK4143-S17-AY, 2SK4144, 2SK4144-AZ, 2SK4144-S12-AZ, 2SK4145-S19-AY, 2SK4146-S19-AY