2SK1060-Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1060-Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 2SK1060-Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1060-Z даташит

 ..1. Size:299K  nec
2sk1060-z.pdfpdf_icon

2SK1060-Z

 7.1. Size:302K  nec
2sk1060.pdfpdf_icon

2SK1060-Z

 8.1. Size:293K  toshiba
2sk1061.pdfpdf_icon

2SK1060-Z

2SK1061 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK1061 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Interface Applications Excellent switching times ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance Y = 100 mS (min) fs Low on resistance R = 0.6 (typ.) DS (ON) Enhancement-mode Complementary to 2

 8.2. Size:333K  toshiba
2sk1062.pdfpdf_icon

2SK1060-Z

2SK1062 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK1062 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switching Applications Interface Applications Excellent switching time ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance Y = 100 mS (min) fs @I = 50 mA D Low on resistance R = 0.6 (typ.) @ I = 50 mA DS (ON) D Enhanceme

Другие IGBT... 2SK490, 2SK1030A, 2SK1032, 2SK1032A, 2SK1038, 2SK1039, 2SK1040, 2SK1059-Z, IRF630, 2SK1063, 2SK1064, 2SK2320, 2SK2328, 2SK2329S, 2SK2407, 2SK2563, 2SK258