2SK3431. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3431

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1800 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для 2SK3431

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3431 даташит

 ..1. Size:289K  inchange semiconductor
 2sk3431.pdf pdf_icon

2SK3431

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3431 FEATURES Drain Current I = 83A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.6m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

 0.1. Size:206K  renesas
 2sk3431-s-z-zj.pdf pdf_icon

2SK3431

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 0.2. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3431-z.pdf pdf_icon

2SK3431

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3431-Z FEATURES Drain Current I = 83A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.6m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

 0.3. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3431-s.pdf pdf_icon

2SK3431

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3431-S FEATURES Drain Current I = 83A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.6m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK259, 2SK260, 2SK260H, 2SK3402, 2SK3402-ZK, 2SK3404, 2SK3405, 2SK3424, 12N60, 2SK3431-S, 2SK3431-Z, 2SK3431-ZJ, 2SK3432, 2SK3432-S, 2SK3432-Z, 2SK3432-ZJ, 2SK3433