2SK2688-01L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2688-01L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для 2SK2688-01L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2688-01L даташит

 0.1. Size:296K  fuji
 2sk2688-01l-01s.pdf pdf_icon

2SK2688-01L

2SK2688-01L,S FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FAP-IIIB SERIES Features Outline Drawings T-Pack(L) High speed switching T-Pack(S) Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters General purpose power amplifier L-type S-type EIAJ Maximum ratings and characteristics Abso

 8.1. Size:30K  sanyo
 2sk2682ls.pdf pdf_icon

2SK2688-01L

Ordering number ENN6783A 2SK2682LS N-Channel Silicon MOSFET 2SK2682LS Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm High-speed diode. 2078C Micaless package facilitating mounting. [2SK2682LS] 10.0 4.5 3.2 2.8 0.9 1.2 1.2 0.75 0.7 1 2 3 1 Gate 2 Drain 3 Source Specifications 2.55 2.55 SANYO TO-220FI(LS)

 8.2. Size:27K  sanyo
 2sk2682.pdf pdf_icon

2SK2688-01L

Ordering number ENN6783 2SK2682 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2682 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm High-speed diode. 2078B Micaless package facilitating mounting. [2SK2682] 4.5 10.0 2.8 3.2 0.9 1.2 0.7 0.75 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source Specifications 2.55 2.55 SANYO TO-220FI-LS Absolute

 8.3. Size:90K  renesas
 2sk2684.pdf pdf_icon

2SK2688-01L

2SK2684(L), 2SK2684(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1022-0200 (Previous ADE-208-542) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter Outline RENESAS Package code

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2639-01, 2SK2641-01, 2SK2643-01, 2SK2646-01, 2SK2649-01R, 2SK2652-01, 2SK2653-01R, 2SK2687-01, IRFZ46N, 2SK2688-01S, 2SK3434, 2SK3434-S, 2SK3434-Z, 2SK3435-ZJ, 2SK3450-01, 2SK3456, 2SK3456-S