2SK3434. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3434

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для 2SK3434

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3434 даташит

 ..1. Size:289K  inchange semiconductor
 2sk3434.pdf pdf_icon

2SK3434

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3434 FEATURES Drain Current I = 48A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 20m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

 0.1. Size:206K  renesas
 2sk3434-s-z-zj.pdf pdf_icon

2SK3434

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 0.2. Size:994K  kexin
 2sk3434-zj.pdf pdf_icon

2SK3434

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK3434-ZJ Features VDS S = 60V ID = 48 A (VGS = 10V) RDS(ON) 20m (VGS = 10V) RDS(ON) 31m (VGS = 4V) Low Ciss Ciss = 2100 pF TYP. Drain Body Gate Diode Gate Protection Source Diode Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage

 0.3. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3434-s.pdf pdf_icon

2SK3434

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3434-S FEATURES Drain Current I = 48A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 20m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2643-01, 2SK2646-01, 2SK2649-01R, 2SK2652-01, 2SK2653-01R, 2SK2687-01, 2SK2688-01L, 2SK2688-01S, IRLB3034, 2SK3434-S, 2SK3434-Z, 2SK3435-ZJ, 2SK3450-01, 2SK3456, 2SK3456-S, 2SK3456-ZJ, 2SK3457