2SK1547-01MR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1547-01MR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 2SK1547-01MR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1547-01MR даташит

 ..1. Size:171K  fuji
2sk1547-01mr.pdfpdf_icon

2SK1547-01MR

 7.1. Size:211K  inchange semiconductor
2sk1547.pdfpdf_icon

2SK1547-01MR

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1547 DESCRIPTION Drain Current I =4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800 (Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a UNI SYMBOL ARAMETER VALUE T V Drain-Source Voltage (V =0

 8.1. Size:23K  1
2sk1549-r.pdfpdf_icon

2SK1547-01MR

FUJI POWER MOSFET 2SK1549-R N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET F- I SERIES Outline Drawings Features High speed switching 5.5 0.3 0.3 0.2 Low on-resistance 15.5 3.2 3.2+0.3 Low driving power High voltage Applications 0.3 2.1 0.3 1.6 Switching regulators +0.2 1.1 0.1 UPS 0.2 3.5 0.2 0.2 5.45 5.45 0.6+0.2 DC-DC converters General purpose power amplifi

 8.2. Size:775K  toshiba
2sk1542.pdfpdf_icon

2SK1547-01MR

Другие IGBT... 2SK1378, 2SK1379, 2SK1380, 2SK1384, 2SK1384R, 2SK1385-01R, 2SK1386-01, 2SK1548-01MR, IRFB4227, 2SK2624ALS, 2SK2689-01MR, 2SK2690-01, 2SK2691-01R, 2SK2715TL, 2SK2725, 2SK2726, 2SK2727