2SK1534. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1534

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для 2SK1534

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1534 даташит

 ..1. Size:145K  shindengen
 2sk1534.pdf pdf_icon

2SK1534

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sk1534.pdf pdf_icon

2SK1534

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1534 DESCRIPTION Drain Current I =3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =900 (Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC motor controls,relay and soleno

 8.1. Size:382K  toshiba
 2sk1530.pdf pdf_icon

2SK1534

2SK1530 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK1530 Unit mm High-Power Amplifier Application High breakdown voltage VDSS = 200 V High forward transfer admittance Yfs = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SJ201 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS 200 V Gate-source voltage VGSS 20 V

 8.2. Size:327K  toshiba
 2sk1531.pdf pdf_icon

2SK1534

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK873, 2SK152, 2SK1521-E1-E, 2SK1522-E1-E, 2SK1523, 2SK1524, 2SK1525, 2SK1527-E1-E, SI2302, 2SK1535, 2SK1536, 2SK1538, 2SK1539, 2SK1542, 2SK1929, 2SK1941-01R, 2SK1942-01