2SK1986-01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1986-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для 2SK1986-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1986-01 даташит

 ..1. Size:249K  fuji
 2sk1986-01.pdf pdf_icon

2SK1986-01

FUJI POWER MOSFET 2SK1986-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FAP-IIA SERIES Outline Drawings Features High speed switching TO-220AB Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGS= 30V Guarantee Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS 3. Source DC-DC converters JEDEC TO-220AB General purpose power amplifier EIAJ SC-46 Equivalent c

 8.1. Size:433K  1
 2sk1988 2sk1989.pdf pdf_icon

2SK1986-01

 8.2. Size:31K  panasonic
 2sk1980.pdf pdf_icon

2SK1986-01

Power F-MOS FETs 2SK1980 2SK1980 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features Avalanche energy capability guaranteed EAS > 15mJ 3.4 0.3 8.5 0.2 6.0 0.5 1.0 0.1 VGSS= 30V guaranteed High-speed switching tf= 25ns No secondary breakdown 1.5max. 1.1max. Applications Non-contact relay 0.8 0.1 0.5max. Solenoid drive 2.54 0.3 Motor drive 5.08 0.5 Control

 8.3. Size:31K  panasonic
 2sk198.pdf pdf_icon

2SK1986-01

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK1942-01, 2SK1809, 2SK1944-01, 2SK1945-01L, 2SK1945-01S, 2SK1954-Z, 2SK1984-01MR, 2SK1985-01MR, 7N60, 2SK2807-01L, 2SK2807-01S, 2SK2808-01MR, 2SK2809-01MR, 2SK2857C, 2SK2858, 2SK2880, 2SK2885L