2SK2885L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK2885L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для 2SK2885L
2SK2885L Datasheet (PDF)
2sk2885l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2885LFEATURESDrain Current : I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 14m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid
2sk2885l-s.pdf

2SK2885(L), 2SK2885(S)Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-545 A2nd. EditionFeatures Low on-resistanceRDS(on) = 10m typ. 4V gate drive devices. High speed switchingOutlineLDPAK4 4D123123G 1. Gate2. Drain3. Source4. DrainS2SK2885(L), 2SK2885(S)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDr
2sk2885.pdf

2SK2885(L), 2SK2885(S)Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-545 A2nd. EditionFeatures Low on-resistanceRDS(on) = 10m typ. 4V gate drive devices. High speed switchingOutlineLDPAK4 4D123123G 1. Gate2. Drain3. Source4. DrainS2SK2885(L), 2SK2885(S)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDr
2sk2885s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2885SFEATURESDrain Current : I = 45A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 14m(Max) @V =10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid
Другие MOSFET... 2SK1986-01 , 2SK2807-01L , 2SK2807-01S , 2SK2808-01MR , 2SK2809-01MR , 2SK2857C , 2SK2858 , 2SK2880 , IRF9640 , 2SK2885S , 2SK2770-01 , 2SK3516-01L , 2SK3516-01S , 2SK3516-01SJ , 2SK3517-01 , 2SK3518-01MR , 2SK3519-01 .
History: SSW65R190S | UT100N03G-TQ2-T | AP9964GM | AP9468GS | ZXMN3G32DN8 | LTP70N06P
History: SSW65R190S | UT100N03G-TQ2-T | AP9964GM | AP9468GS | ZXMN3G32DN8 | LTP70N06P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345