Справочник MOSFET. 2SK3676-01L

 

2SK3676-01L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3676-01L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для 2SK3676-01L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3676-01L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3676-01l.pdf pdf_icon

2SK3676-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3676-01LFEATURESDrain Current : I = 6.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

 0.1. Size:264K  fuji
 2sk3676-01l-01s-01sj.pdf pdf_icon

2SK3676-01L

2SK3676-01L,S,SJ200304FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETOutline Drawings [mm]Super FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsP4Switching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unl

 4.1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3676-01sj.pdf pdf_icon

2SK3676-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3676-01SJFEATURESDrain Current : I = 6.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s

 4.2. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3676-01s.pdf pdf_icon

2SK3676-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3676-01SFEATURESDrain Current : I = 6.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK3526-01S , 2SK3526-01SJ , 2SK3527-01 , 2SK3528-01R , 2SK3529-01 , 2SK3531-01 , 2SK3539 , 2SK3675-01 , IRF630 , 2SK3676-01S , 2SK3676-01SJ , 2SK3678-01 , 2SK3680-01 , 2SK3681-01 , 2SK3682-01 , 2SK3684-01L , 2SK3684-01S .

 

 
Back to Top

 


 
.