Справочник MOSFET. 2SK3680-01

 

2SK3680-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3680-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 103 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3680-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  fuji
2sk3680-01.pdfpdf_icon

2SK3680-01

2SK3680-01200401FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings [mm]Features High speed switching Low on-resistance11.60.2 No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C

 7.1. Size:272K  inchange semiconductor
2sk3680.pdfpdf_icon

2SK3680-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3680FEATURESStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.11(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

 8.1. Size:627K  toshiba
2sk368.pdfpdf_icon

2SK3680-01

2SK368 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK368 Audio Frequency and High Voltage Amplifier Applications Unit: mmConstant Current Applications High breakdown voltage: VGDS = -100 V (min) High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -80 V) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitGat

 8.2. Size:262K  fuji
2sk3684-01l-01s-01sj.pdfpdf_icon

2SK3680-01

2SK3684-01L,S,SJ200309FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings [mm]Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof ApplicationsP4 Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FMR23N50E | TPG70R600M | IPD50R280CE | SI4909DY | APM4588K | NDT6N70 | HGP028N08A

 

 
Back to Top

 


 
.