Справочник MOSFET. 2SK3689-01

 

2SK3689-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3689-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3689-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  fuji
2sk3689-01.pdfpdf_icon

2SK3689-01

2SK3689-01200401FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings [mm]Features High speed switching Low on-resistance11.60.2 No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C

 ..2. Size:346K  inchange semiconductor
2sk3689-01.pdfpdf_icon

2SK3689-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3689-01FEATURESDrain Current : I = 16A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.57(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

 8.1. Size:627K  toshiba
2sk368.pdfpdf_icon

2SK3689-01

2SK368 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK368 Audio Frequency and High Voltage Amplifier Applications Unit: mmConstant Current Applications High breakdown voltage: VGDS = -100 V (min) High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -80 V) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitGat

 8.2. Size:262K  fuji
2sk3684-01l-01s-01sj.pdfpdf_icon

2SK3689-01

2SK3684-01L,S,SJ200309FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings [mm]Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof ApplicationsP4 Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RU6888 | BUK455-100B | NCEAP016N10LL | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.